相変化光ディスクの光学顕微鏡写真（黒い点がアモルファス、
白い領域は結晶）

　相変化メモリーは書き換え可能な光ディスクとして実用化され、さらに次世代の電気メモリーとして期待されています。あらゆるものがインターネットにつながる社会において必要となるメモリー技術です。
　相変化メモリーの動作は、常温常圧で安定な二つの固相（結晶とアモルファス）を行き来することで実現します。例えば、水晶とガラスは二酸化ケイ素の結晶とアモルファスですが、相変化メモリーには不向きです。なぜならどちらの状態も光学的に透明で、電気的には絶縁体であり、物性に大きな違いがないからです。それでは相変化メモリー材料と二酸化ケイ素で何が違うのでしょうか？このような視点から相変化メモリーの動作機構を解明しようと研究に取り組んでいます。最近の研究成果として相変化メモリー材料のキャリア密度が2000倍変化することを突き止めました。この変化が電気メモリーとして機能します。キャリアの生成要因を解明することで相変化メモリーの性能や信頼性の向上につなげたいと考えています。